講　師 キヤノンアネルバ(株)　技術統括部門　プロセス開発センター　半導体技術部　次世代材料開発課　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　エキスパート　石橋 啓次 氏　
　
日　時 平成２２年　４月１６日(金）　１０：３０～１６：３０

会　場 ［東京・王子］北とぴあ　７Ｆ　７０１会議室
　
聴講料 １名につき４９，９８０円　(消費税含む・昼食/資料付)
〔１社２名以上同時申込の場合１名につき３９，４８０円〕

　
　
　
プログラム
　
【講座の趣旨】

スパッタリングという物理現象を利用した薄膜成長技術であるスパッタリング法について、その基本的な考え方を中心に、できるだけイメージできるよう、実際に使用される装置や応用例などを交えて解説する。

【講演項目】

１．スパッタリング現象
　1-1　スパッタリング現象 　
　1-2　スパッタリング率の衝撃イオンエネルギー依存性
　1-3　スパッタリング率の衝撃イオン入射角依存性
　1-4　スパッタリング原子の運動エネルギー

２．各種スパッタリング方式 　
　2-1　DC２極スパッタリング方式
　2-2　RF２極スパッタリング方式
　2-3　３極および４極スパッタリング方式
　2-4　マグネトロンスパッタリング方式
　2-5　特殊なスパッタリング方式
　　2-5-1　バイアススパッタリング
　　2-5-2　リアクティブスパッタリング
　　2-5-3　デュアルマグネトロンスパッタリング方式

３．各種スパッタリング装置
　3-1　スパッタリング装置の分類
　3-2　各種スパッタリング装置の紹介
　3-3　スパッタリング装置の操作技術

４．スパッタリング法による薄膜の成長過程
　4-1　ターゲットから飛び出す粒子
　4-2　ターゲットと基板との間の空間での現象
　4-3　基板上への膜の堆積

５．スパッタリング薄膜の基本特性
　5-1　膜中へのガスの混入
　5-2　薄膜の構造
　5-3　力学的（機械的）性質
　　5-3-1　付着力
　　5-3-2　硬さ
　　5-3-3　内部応力

６．優れた特性を持つ薄膜の作製条件
　6-1　基板の前処理
　6-2　ターゲットの選択と前処理
　6-3　スパッタリング条件
　6-4　イオンアシスト
　6-5　微少欠陥とその対策
　6-6　付着力を増す方法

【質疑応答】