講　師
Ⅰ．富士電機デバイステクノロジー（株）　半導体事業本部　
　　 企画・開発統括部　パッケージ・実装技術部　部長　後藤 友彰氏

Ⅱ．ローム（株）　研究開発本部　新材料デバイス研究開発センター　三浦　峰生　氏

Ⅲ．パナソニック（株）　先行デバイス開発センター　チームリーダー　北畠 真　氏

Ⅳ．サンケン電気（株）　技術本部　先行技術開発統括部　GaN開発グループ　技術主事　佐藤　憲　氏

Ⅴ．(株)東レリサーチセンター　形態科学研究部　部長　橋本 秀樹　氏

　
日　時 平成２１年７月２１日（火）１０：００～１８：４０

会　場 [東京・王子]　北とぴあ　９F　９０２会議室
　
聴講料 １名につき６３，０００円　（消費税込み、昼食・資料付き）
【１社２名以上同時申込の場合１名につき５２，５００円】

　

　
　
プログラム
　
【１０：００～１１：３０】

Ⅰ．IGBTモジュール熱設計技術と信頼性向上技術

富士電機デバイステクノロジー（株）　半導体事業本部　
企画・開発統括部　パッケージ・実装技術部　部長　後藤 友彰氏

■講座の趣旨：
　環境問題が大きな社会問題となっている。それに対して、電力を効率よく使い、ムダをなくす切り札のひとつがパワーエレクトロニクスであり、その心臓部であるパワー半導体の代表格がIGBTである。IGBTチップは、複数組み合せてIGBTモジュールとして用いられる。最近、IGBTチップは、より小型化、性能向上が図られておりそれに伴い、熱設計が非常に重要となっている。
　本講座では、まず、IGBTモジュール構造について説明し、最新技術を含め、モジュールの熱設計に必要な技術と信頼性向上のための技術について、詳細に解説する。

■ご講演項目：
１．はじめに
　
２．IGBTモジュール構造と使用用途など

３．IGBTモジュール開発における必要技術
　3.1　IGBTモジュールの熱設計
　　　・モジュール構造
　　　・縦構造の熱設計
　　　・チップ配置の熱設計
　3.2　リードフレーム配線の熱設計
　　　・リードフレーム配線の開発目的
　　　・ FEM解析による熱特性検討
　　　・ リードフレーム配線の熱特性実験

４. IGBTモジュールの信頼性向上技術（最新技術紹介）
　　　・　鉛フリー実装技術
　　　・　リードフレームのレーザ接合技術

５．まとめ

【質疑応答】


　
　
【１２：２０～１３：５０】

Ⅱ．SiCパワーデバイスの開発

ローム（株）　研究開発本部　新材料デバイス研究開発センター　三浦　峰生　氏

■講座の趣旨：
　電力エネルギーの有効利用を達成するために、Siデバイスの限界を超えた SiCパワーデバイスの登場が期待されている。SiCパワーデバイスでは優れ た材料物性を活して高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチング、200℃以上 の高温動作などが全て可能になる。本講演ではSiC-SBDとSiC-MOSFETの特性 等の開発現状と残された課題について報告する。

■ご講演項目：
１．はじめに
　 1.1　パワーデバイスへの要求
　 1.2　パワーデバイス材料としてのＳiCへの期待
　 1.3 SiCによる低オン抵抗化のしくみ

２．デバイス技術
　 2.1　SiC-SBDの特性
　 2.2　SiC-DMOSの特性
　 2.3　デバイス課題と取り組み

３．周辺技術
　 3.1　SiC基板とエピ技術
　 3.2　モジュール技術

４．まとめと今後の展望

【質疑応答】


　
　
　
【１３：５０～１５：２０】

Ⅲ．SiCパワーデバイスの開発と応用

パナソニック（株）　先行デバイス開発センター　チームリーダー　北畠 真　氏

■講座の趣旨：
　低損失、高耐熱な素子として期待されるワイドバンドギャップ半導体SiCパワーデバイスは、省エネルギー・電源の小型・軽量化に寄与し、次世代のパワエレ技術をささえる基盤技術を提供する。本講演では、SiCパワーデバイスの開発状況と応用について解説する。

■ご講演項目
１.SiCパワーデバイスの開発の概要

２. SiCパワーデバイスのパワエレ回路への応用
　２.１　損失低減
　２.２　熱の問題

【質疑応答】

　
　
【１５：３０～１７：００】

Ⅳ．GaN系パワーデバイスの開発

サンケン電気（株）　技術本部　先行技術開発統括部　GaN開発グループ　技術主事　佐藤　憲　氏

■講座の趣旨：
　次世代のパワーデバイス材料としてGaNは積極的に研究開発が進められており、現在までに実機動作可能な高耐圧・大電流GaNデバイスが試作されるレベルになっている。本講座においては、パワーデバイス向けの材料としてのGaN系半導体について紹介し弊社のGaNデバイスの特性や開発状況、実用化に向けた課題について述べる。

■ご講演項目
１．はじめに
　１.１．パワーデバイス用材料としてのGaN
　１.２．パワーデバイス材料としてのGaN on Siへの期待

２．結晶成長技術
　２.１．GaN成長用基板
　２.２．GaN系結晶成長技術
　２.３．Si基板上へのGaN成長

３．デバイス技術
　３.１．GaN系電子デバイス
　３.２．電流コラプスの抑制と高耐圧化
　３.３．GaN系電子デバイス作製技術

４．GaNデバイスの開発状況

５．今後の展望と課題

【質疑応答】

　
　
【１７：1０～１８：４０】

Ⅴ．パワーデバイスの評価技術
　　　　　　　　
(株)東レリサーチセンター　形態科学研究部　部長　橋本 秀樹　氏

■講座の趣旨：
　半導体デバイスの開発や製造において、解析・評価技術は重要な役割 を果たしている。半導体に良く使われる分析･評価法の解説を行い、 パワーデバイスなどの実例を紹介する。

■ご講演項目
１．半導体開発・製造における分析・評価の役割

２．半導体分析・評価に用いられる技術
　2.1　構造解析・形状観察
　2.2　組成・化学状態分析
　2.3　応力・歪解析
　2.4　結晶欠陥解析
　2.5　ドーパントプロファイル・キャリア濃度分析
　2.6　汚染・クリーンルーム評価

３．事例

４．まとめ

【質疑応答】