講　師

Ⅰ．ナイトライド・セミコンダクター（株）　代表取締　村本 宜彦 氏

Ⅱ．理化学研究所　テラヘルツ量子素子研究チーム

チームリーダー　平山 秀樹　氏

Ⅲ．（株）東京化学研究所 技術部　開発課　課長　岡本 慎二

Ⅳ．工学院大学　工学部　電子工学科　教授 川西 英雄　氏

日　時 平成２０年 ９月２６日（木）　１０：３０～１７：４５
会　場 ［東京・青海］　東京テレコムセンター　東棟　２０F　会議室２
聴講料 　1名につき６３，０００円（消費税込み・昼食、資料付き）
　〔１社２名以上同時申込の場合１名につき５２，５００円〕

　

プログラム
【１０：３０～１２：００】

Ⅰ．高効率・高出力紫外線ＬＥＤの技術と市場

　ナイトライド・セミコンダクター（株）　村本 宜彦　氏

【講座の趣旨】
　実現が難しいと言われた紫外線LEDの高効率化に関する技術と市場動向を簡単に説明いたします。

【プログラム】

１．紫外線ＬＥＤの基本メカニズム
　　1.1化合物半導体と波長の関係
　　1.2 GaN系ＬＥＤの特異な特徴
　　1.3紫外線ＬＥＤの高効率化のための3ポイント

２．紫外線ＬＥＤ高効率化のための技術
　　2.1結晶成長技術
　　2.2プロセス加工技術
　　2.3パッケージ技術

３．紫外線ＬＥＤのマーケット
　　3.1紙幣識別装置用光源
　　3.2光樹脂硬化用光源
　　3.3空気清浄機用光源
　　3.4医療・バイオ分析治療用光源
　　3.5RGB白色ＬＥＤ光源

４．課題

５．まとめ

【質疑応答】


【１２：４５～１４：１５】

Ⅱ．窒化物紫外ＬＥＤの進展と実用化へ向けた課題
　理化学研究所　平山 秀樹　氏

【講座の趣旨】
　 波長が230-350nmの深紫外LEDは、殺菌・浄水、医療、照明、高密度光記録等々、さまざまな分野での応用が考えられている。最近、窒化物AlGaN系半導体を用いた深紫外LEDの開発が盛んに行われており、すでに実用輝度も達成されている。殺菌用途（波長250-280nm）の10ミリワット出力LEDや、最短波長領域220-230nmでのLED実現は最近注目を集めている。本講演では、窒化物紫外LEDの最近の進展と実用化に向けた今後の技術開発のポイントについて、特に、最近開発が進んでいるAlGaN系・InAlGaN系窒化物混晶を用いた紫外高輝度LEDの結果を含めて概説する。

【プログラム】

1.窒化物紫外LED開発の最近の動向
　1.1 深紫外LEDの応用分野
　1.2 深紫外LEDの現状と高効率化への問題点
　1.3 最近の開発競争

2.短波長紫外LEDのための基礎技術の開拓
　2.1 低転位AlNの開拓
　2.2 AlGaN系材料の結晶成長と発光特性
　2.3 InAlGaN４元混晶の結晶成長と紫外発光特性

3.窒化物紫外高輝度LEDの動向
　3.1 ｐ型ドーピングの改善
　3.2 短波長LEDの電子オーバーフローの抑制
　3.3 AlGaN系220-270nm紫外LED 　　
　3.4 InAlGaN系280nm高出力紫外LED（殺菌用途）

4. 実用化に向けた高効率化への課題と展望

【質疑応答】

【１４：３０～１６：００】

Ⅲ．紫外LEDを励起光源にした全固体白色照明用蛍光体の現状と課題

　（株）東京化学研究所　岡本 慎二　氏

【講座の趣旨】

　LEDを用いた全固体白色照明は無公害、長寿命である。固体照明の中で最も重要な構成要素の一つである蛍光体の現状と 課題について概説する。

【プログラム】

1. 全固体白色照明について
　　1.1 固体照明に用いる蛍光体の必要条件
　　1.2 励起光源による違い・・・青色LED と紫外LED

2. 蛍光体の光物性
　　2.1 希土類イオンの光物性　
　　2.2 エネルギー伝達

3. 発光イオンの吸収・発光方式別固体照明用蛍光体の現状
　　3.1 CTS吸収
　　3.2 4f-5d吸収・発光
　　3.3 4f-4f吸収・発光

4.ナノ蛍光体など特殊な蛍光体について

5. 固体照明用蛍光体の課題

【質疑応答】


【１６：１５～１７：４５】

Ⅳ．深紫外域（波長域：230 nm～360 nm）AlGaN半導体レーザ研究の新展開　（仮題）

　工学院大学　川西 英雄　氏

【プログラム】

詳細は後日UPいたします。

【質疑応答】