講　師
Ⅰ．地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
　　　　　　　　　　　　　　　 エレクトロニクスグループ　上席研究員　楊 振　氏

Ⅱ．名古屋大学　大学院工学研究科　准教授　工学博士　式田 光宏　氏

Ⅲ．オムロン(株)　セミコンダクタ統括事業部　マイクロデバイス事業部
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 MEMS開発部　技術専門職　西尾　英俊　氏

日　時 平成２０年８月２２日(金）１０：３０～１６：００

会　場 ［東京・王子］　北とぴあ　８Ｆ　８０２会議室

聴講料 1名につき５２，５００円（消費税込み・昼食、資料付き）
〔★１社２名以上同時申込の場合１名につき４２，０００円 〕

プログラム
　 【１０：３０～１２：００】

Ⅰ．アンモニアを用いたシリコンの高速エッチング技術

　　地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター　楊 振　氏

【講座の趣旨】

　ウェットエッチングは優れた面内均一性と量産性から微細加工技術して利用されている。KOH溶液などがエッチング液として使用されているが、金属イオンの問題や溶液の毒性、安定性、特にAl膜付ウエハへ応用するには問題がある。
　 一方、アンモニア水溶液はAlをエッチングしない特性が持つ、しかも高純度のガスが簡単に手に入れる。だが、エッチング速度が遅く、エッチング面の面粗さに劣っているので、あまり注目されていないエッチャントである。
　これらの欠点についで、エッチング原理から見直され、Ⅴ族酸化物の添加により、高速のエッチャントに注目された。この研究の背景、原理、実験装置及び結果についで解説する。

【プログラム】

１．アンモニア・異方性エッチングの研究歴史

２．エッチング原理から技術課題分析

３．実験方法

４．エッチング速度および面粗さの結果

５．ポーラスアルミナフィルタへの応用

６．エッチャントの安定性

７．Ⅴ族添加物の課題

　　　　【質疑応答】


【１２：５０～１４：２０】

Ⅱ．結晶異方性エッチングにおける欠陥メカニズムとエッチング評価

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　名古屋大学　式田 光宏　氏

【講座の趣旨】

　MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスの加工には，アルカリ性水溶液を用いたSiの結晶異方性エッチングが広く用いられている．本講演では，結晶異方性エッチングにて，モノづくりをする際に生じる幾つかの問題（エッチピット，アンダーカット，マイクロピラミッド，添加物の影響）について，その原因ならびに発生メカニズムについて解説を行う．

【プログラム】

１．結晶異方性エッチングにおけるエッチピット発生

　１．１．Si(100)面におけるディンプル状エッチピットの発生とそのメカニズム
　１．２．Si(111)面におけるステップ状エッチピットの発生とエッチング液依存性

２．Si(100)面におけるアンダーカット現象と
　　　　　　　　　　　　　　　　　 マイクロピラミッド発生との関係

　２．１．アンダーカット現象のメカニズムとその対策
　２．２．アンダーカットの抑制とマイクロピラミッドの発生メカニズム
　２．３．Si(100)面上におけるマイクロピラミッドの発生とそのメカニズム

３．エッチング特性対する添加物の影響

　３．１．金属イオンの影響
　３．２．界面活性剤の影響

　　　　【質疑応答】


【１４：３０～１６：００】

Ⅲ．ウェットエッチングによるＭＥＭＳデバイスの
　　　　　　　　　　　　　　　　　　 加工技術とウェット洗浄技術

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　オムロン(株)　西尾　英俊　氏

【講座の趣旨】

実際のMEMSデバイスに用いられているウェットエッチングおよび洗浄技術の実例を通して、その効果、特性を理解する。更に、独自のウェットエッチング技術により、MEMSデバイスの特性を飛躍的に向上した例を紹介する。

【プログラム】

１．はじめに

２．ＭＥＭＳ市場動向

３．ＭＥＭＳで利用するウェットプロセス

　３．１．洗浄技術
　３．２．ウェットエッチング技術 　
　　３．２．１．等方性エッチング技術 　
　　３．２．２．異方性エッチング技術 　
　　３．２．３．その他

４．ＭＥＭＳデバイスでの実例

５．ＭＥＭＳデバイスの特性改善

　５．１．従来課題
　５．２．改善方法

６．まとめ

　　　　【質疑応答】