～電気めっきプロセス、形状制御、添加剤の作用機構と影響～

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●講　師　：　大阪府立大学　工学研究科化学工学分野　材料プロセス工学グループ　教授　近藤　和夫　氏

●日 時　　　平成１８年１１月３０日（木）　１３：００～１６：３０

●会 場　　　［東京・五反田］　ゆうぽうと　５F　はまゆう

●聴講料　　1名につき４７，２５０円（消費税込み、資料付き）
　　　　　　　　〔１社２名以上同時申込の場合１名につき１０，５００円割引します〕

●講座の趣旨　

　 米国ＩＢＭの銅ダマシンプロセスの実用化に伴い、湿式のめっき技術が半導体及びその周辺の実装材料に極めて多用されるようになっている。電子機器の低コスト化と高性能化に伴いこの傾向は益々加速する。電気めっき法で実用化されるため、その基礎となる電流密度分布の制御について述べる。またダマシンめっきの添加剤の作用機構について講義する。さらに、今後めっき技術が半導体内部や外部の実装技術のどのような分野で応用展開されるかについて今後の動向を述べる。

●講演項目

１．電気めっき技術の基礎
　電気めっきの基礎現象をまず述べる。その後で銅ダマシンめっきの添加剤の種類・特徴・作用機構について詳しく述べる。

２．電流密度分布の考え方
　電気めっきはフアラデーの法則に従うため、電流密度分布が微小めっきの形状を支配する。本講義では、その応用例として、バンプめっきを取り上げる。一次電流密度分布、二次電流密度分布、イオンの物質移動についても言及する。さらにバンプめっきの形状制御機構についても言及する。

３．半導体めっき技術の研究結果
　私どもの研究室で得られた最新の研究結果を紹介する。バンプめっきや銅ダマシンめっきの添加剤の作用機構について紹介する。

４．最新技術動向と今後の展開
　半導体に用いるめっき技術は1990年以降ますます微細化している。そしてプロセッサの0.1μm の配線を形成するのに多用されている。また実装技術。プリント基板技術も従来の数100μm ルールから微細化し、現在では10μm レベルの配線形成にまで使用されている。本講義では、最近の研究例をもとに、今後電気めっき技術が半導体のどのような分野に展開されるか（MEMS 分野も含めて）を、実例を引いて述べる。

　　　【質疑応答】